dram内存分别是几纳米

dram内存分别是几纳米？

韩国存储厂商SK海力士宣布，公司第一代使用EUV光刻机生产的DRAM正式量产。

据介绍，公司旗下第四代 10 纳米級（1a）制程8Gigabit（Gb）LPDDR4 移动设备专用DRAM已经量产。作为SK海力士旗下首款采用EUV生产的DRAM，与上一代产品相比，新产品可以将使相同尺寸晶圆生产的 DRAM 芯片数量增加 25%，并能将功耗降低20%。

在更早之前，三星已经率先量产了使用EUV光刻机生产的DRAM，在过去多年稍显保守的美光也宣布，将在2024年生产基于EUV的DRAM。至此，三大DRAM大厂都跨入了EUV时代。

你好，DRAM内存的工艺节点（制造工艺）不是以纳米为单位来计算的，而是以纳米级别的尺寸为基础进行制造的。例如，目前常用的DRAM内存工艺节点有14nm、10nm、7nm等。但随着技术的不断进步，DRAM内存的工艺节点也在不断缩小，未来可能会出现更小的工艺节点。