光刻机刻录机刻蚀机的区别

光刻机刻录机刻蚀机的区别？

光刻机和刻蚀机的区别主要表现为3各个方面：

一、难易度：光刻机难度大，刻蚀机难度小。

二、原理：光刻机把图案印上去，刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案/无图的部分，留下剩余的部分。

三、工艺操作不同（1）、光刻机：利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将掩膜版上的电路图形传递到单晶的表面或介质层上，形成有效的图形窗口或功能图形。由于在晶圆的表面上，电路设计图案直接由光刻技术决定，因此光刻工艺也是芯片制造中最核心的环节。（2）、刻蚀机：用化学和物理方法，在经显影后的电路图永久和精确地留在晶圆上，选择性的去除硅片上不需要的材料。刻蚀工艺的方法有两大类，湿法蚀刻和干法蚀刻。

光刻机和蚀刻机是一个系统的，刻录机是另一回事。

刻录机是相对光刻机和蚀刻机是简直就是小儿科，就是把光盘通过激光照射来改写擦除数据，体积也就巴掌大小。而光刻机最大可达180吨，零部件近十万个，是非常复杂的光电、机械、化学系统。蚀刻机相对小一些但也有几吨重。