什么是内存时序 关于内存时序问题

什么是内存时序？

内存时序其实就是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“11-11-11-28”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”， CAS Latency（简称CL值）是内存CAS延迟时间，RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间 RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间 Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

关于内存时序问题

这几个值都是内存的延迟时间，都是越小越好，CL值会对其他值产生影响，cl值设小了，其他值可能就跟不上，反而要调大，要不了内存可能不能工作。你看不懂建议你不要调了，性能差别非常小！长的时序对超频有帮助！
要懂这些知识，可自己看看微机原理，不是一两句话说得清的！

内存时序
一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”.
加了个20，表示明确了Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟的时间是20个时钟。

内存超频时序问题

对！时序越低越好，不过看频率而定，内存超频时时序就要拉大。DDR2的5-5-5-15都可以超频到800Mhz使用，800Mhz默认也是这个时序。
DDR  默认时序3-3-3-9-2T（400Mhz）
DDR2 默认时序5-5-5-15-2T（800Mhz）
DDR3 默认时序9-9-9-27-1T （1600Mhz）
1T 和 2T 区别是相反的，1T 延迟少、速度快、稳定低。2T 延迟大、速度慢、稳定高。
DDR3的1T基本上很稳定，默认也是1T。DDR2使用1T会出现假死或者蓝屏，这说明稳定低。
还有内存NB频率，越高数值就会对内存的效力就越高。 不过往往提升越高就会不稳定。 
我用DDR3 1333Mhz 超频至 2000Mhz，我把时序拉大到 11-11-11-28-80-1T。双通道稳定，没问题。频率越高带宽数据就越大。
超频内存的人比较少，一般都是超频CPU玩家，都不注意内存时序。导致把内存降频才超频。

内存怎么超频？

也是在BIOS设置里边。跟cpu超频在一个选项里边，内存不是超频是选择不同频率的，比如1066 800 533等呵呵
内存的超频是跟cpu超频息息相关的。首先CPU超频了，FSB频率也就高了，所能支持的内存频率也会提高。希望能有所帮助

怎么给自己的内存超频？

1、首先要了解主板性能。主板体质如何，支持内存最高频率，以及主板芯片组或CPU内存管理模块的系统总线，最高工作频率等参数。
　　2、内存体质强弱。了解内存最高标准频率，时序等参数。
　　3、在BIOS中的内存参数设置选项中，将当前内存频率参数提高一个等级。如，1333修改为1666MHz。再去时序设置选项中，适当放宽内存时序T值（即增大原值，减小内存工作压力）。超频成功后，还可再尝试提高内存频率参数档次。
　　4、保存修改并退出BIOS，重启后检查效果。失败黑屏不能启动时（老机），需清除COMS参数，使用默认值重进BIOS，适当增加内存工作电压（微调），再试。
　　5、成功则喜。不成功时，分析原因，再重新细调内存参数，多次试验仍不成功，也可换条内存试试。
　　6、看法，不赞成内存超频。超频快感带来的，只有极限条件下的硬件痛苦，寿命减短，系统稳定性下降，可能会经常系统卡顿、莫名死机、蓝脸等。而性能提高的几个百分点是微不足道的。若只是玩玩，无可非议；真想烧一把，去搞块支持超频的主板、内存，爽爽无妨。